收藏本站
P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 ? MARCH 94
FEATURES
* 200 Volt V DS
* R DS(on) =25 ?
ZVP2120A
G
D
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
E-Line
TO92 Compatible
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-200
-120
-1.2
± 20
700
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL MIN.
MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown
Voltage
BV DSS
-200
V
I D =-1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold
Voltage
V GS(th)
-1.5
-3.5
V
ID=-1mA, V DS = V GS
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain
Current
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source
On-State Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Common Source Output
Capacitance (2)
Reverse Transfer
Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
I GSS
I DSS
I D(on)
R DS(on)
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
-300
50
20
-10
-100
25
100
25
7
7
15
12
15
nA
μ A
μ A
mA
?
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =-200 V, V GS =0
V DS =-160 V, V GS =0V,
T=125°C (2)
V DS =-25 V, V GS =-10V
V GS =-10V,I D =-150mA
V DS =-25V,I D =-150mA
V DS =-25V, V GS =0V, f=1MHz
V DD ≈ -25V, I D =-150mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
(2) Sample test.
3-425
(
3
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZVP2120GTC MOSFET P-CHAN 200V SOT223
ZVP3306ASTZ MOSFET P-CHAN 60V TO92-3
ZVP3306FTC MOSFET P-CHAN 60V SOT23-3
ZVP3310ASTZ MOSFET P-CHAN 100V TO92-3
ZVP4105ASTZ MOSFET P-CHAN 50V TO92-3
ZVP4424ASTOB MOSFET P-CHAN 240V TO92-3
ZVP4424GTC MOSFET P-CHAN 240V SOT223
ZVP4424ZTA MOSFET P-CHAN 240V SOT89
相关代理商/技术参数
ZVP2120ASTZ 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120B 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-39
ZVP2120C 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Obsolete - alternative part: ZVP2120A
ZVP2120D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | CHIP
ZVP2120G 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET P SOT-223
ZVP2120GTA 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120GTC 功能描述:MOSFET P-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVP2120L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-220